Funcionamiento del MOSFET en Saturación: Transconductancia y Efectos de Segundo Orden
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Funcionamiento del MOSFET en la Región Activa y de Saturación
En la zona activa, se genera una zona de agotamiento con una carga neta almacenada. La corriente de drenador sigue siendo cero. Cuando la zona de agotamiento se ha formado y se sigue aumentando la tensión de puerta, los huecos del sustrato ya no son repelidos por la tensión de puerta aplicada. A partir de ese momento, los electrones del drenador y del sustrato se sienten atraídos por la tensión de puerta positiva e invaden la interfase puerta-sustrato de la zona activa, formando el canal de inversión o canal de conducción. La corriente de drenador es prácticamente cero.
A medida que aumenta VGS, la resistencia entre drenador y surtidor disminuye, ya que estamos aumentando